国家知识产权局信息显示升富策略，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种掩模器件及其制备工艺”的专利，公开号CN121325499A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种掩模器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域。该掩模器件包括自下而上依次堆叠的衬底、光介质层、粘结层和Cr膜层，Cr膜层包括光栅区和阻挡区，光栅区的厚度小于阻挡区的厚度，且光栅区形成有光栅结构；衬底设有供光栅结构向下透光的通光口。该掩模器件通过采用Cr膜层作为其光栅层，并设置Cr膜层中阻挡区的厚度大于光栅区的厚度，在确保光栅区形成光栅结构的有效高度，使得X射线经光栅结构具有较佳的干涉效果并形成目标曝光图形的基础上，有效提高阻挡区对X射线的反射和吸收，从而减少X射线穿过阻挡区形成的散射光对曝光图形的影响升富策略，相应确保X射线经过掩模器件时的有效干涉，得到高精确度的曝光图形。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业升富策略，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可6个。
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作者：情报员
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